brochage

Brochage

En électronique tout comme en électrotechnique, le brochage d'un composant décrit le rôle de chacune des broches d'un connecteur ou d'un composant du plus simple au plus complexe des circuits intégrés. Le terme de brochage est synonyme de diagramme de connexion.

Le brochage est plus ou moins complexe :

• Le brochage le plus simple est celui d'une diode (deux broches : anode et cathode) ensuite viennent les transistors (trois broches),
• Les brochages les plus complexes sont ceux des microprocesseurs.

Les différents types de boîtiers de circuits intégrés induisent des brochages très différents.

Broches d'alimentation d'un circuit intégré

Brochage d'un AOP

La plupart des circuits intégrés possèdent au moins deux broches reliées au « bus d'alimentation » du circuit sur lequel ils sont installés.
La broche d'alimentation positive repérée ${\displaystyle V_{\mathrm{C}\mathrm{C}+}}$ est parfois aussi appelée ${\displaystyle V_{\mathrm{D}\mathrm{D}}}$, ${\displaystyle V_{\mathrm{C}\mathrm{C}}}$, ou V_S+. La broche d'alimentation négative repérée ${\displaystyle V_{\mathrm{C}\mathrm{C}-}}$ est parfois aussi appelée ${\displaystyle V_{\mathrm{S}\mathrm{S}}}$, ${\displaystyle V_{\mathrm{E}\mathrm{E}}}$, ou V_S−.
Le caractère doublé qui se trouve en indice de la lettre V fait référence au nom de la broche du transistor à laquelle cette alimentation sera généralement reliée. Ainsi, les appellations ${\displaystyle V_{\mathrm{C}\mathrm{C}}}$ et ${\displaystyle V_{\mathrm{E}\mathrm{E}}}$ sont généralement réservées aux AOP bipolaire tandis que les appellations ${\displaystyle V_{\mathrm{D}\mathrm{D}}}$ et ${\displaystyle V_{\mathrm{S}\mathrm{S}}}$ sont généralement réservées aux AOP à effet de champ.
Le C de ${\displaystyle V_{\mathrm{C}\mathrm{C}}}$ signifie que l'alimentation est reliée au collecteur d'un transistor bipolaire tandis que le E de ${\displaystyle V_{\mathrm{E}\mathrm{E}}}$ signifie que l'alimentation est reliée à l'émetteur d'un transistor bipolaire. Le D de ${\displaystyle V_{\mathrm{D}\mathrm{D}}}$ fait référence au drain d'un transistor à effet de champ tandis que le S de ${\displaystyle V_{\mathrm{S}\mathrm{S}}}$ fait référence à la source de ce même transistor.
source : https://fr.wikipedia.org/